Piikarbidimateriaali

100 karkea piikarbidi Kuvaus

Päämuodossa oleva puolijohteessa oleva piikarbidi on substraattimateriaalina sen erinomaisten ominaisuuksien perusteella, piikarbidisubstraatin käyttö on parempi kuin piisubstraatin käyttö, piikarbidisubstraatti voi täyttää korkean lämpötilan, korkean paineen, korkean taajuuden, suuren tehon ja muut sovelluksen tarpeet, nykyiset piikarbidilaitteet on käytetty radiotaajuusalustalle.

Jos olet kiinnostunut tuotteistamme, ota meihin yhteyttä nyt! Voimme räätälöidä tuotteitamme asiakkaan tarpeiden mukaan!

120 karkeuden piikarbidin tekniset tiedot

120 karkeuden piikarbidin toimittajat-ZhenAn International

1200 Grit Silicon Carbide ammattimainen toimittaja-ZhenAn

180 Grit Silicon Carbide valmistaja-ZhenAn International

Piikarbidilaitteiden edut ovat seuraavat:

(1)korkea{0}}jännitevastus.Sähkökentän voimakkuus on suuri, 10 kertaa piin verrattuna, ja piikarbidilaitteita voidaan valmistaa parantamaan huomattavasti jännitteenkestävyyttä, toimintataajuutta ja virrantiheyttä ja vähentämään huomattavasti laitteen johtavuushäviötä. Joten varsinaisessa sovellusprosessissa piipohjaan verrattuna voidaan suunnitella pienempi tilavuus, noin 1/10 pii{4}}pohjaisista laitteista.

(2)Korkean lämpötilan kestävyys.Puolijohdelaitteet korkeammissa lämpötiloissa aiheuttavat kantoaaltojen sisäisen virityksen, mikä johtaa laitteen vikaantumiseen. Mitä suurempi on kielletty kaistanleveys, sitä korkeampi on laitteen rajoittava käyttölämpötila. Piikarbidin kielletty nauha on lähes kolme kertaa piin nauha, mikä varmistaa korkeissa lämpötiloissa toimivien piikarbidilaitteiden luotettavuuden. Piilaitteiden rajoittava käyttölämpötila ei yleensä voi ylittää 300 astetta, kun taas piikarbidilaitteiden käyttölämpötila voi olla yli 600 astetta. Samanaikaisesti piikarbidin lämmönjohtavuus on korkeampi kuin piin, korkea lämmönjohtavuus auttaa piikarbidilaitteen lämmönpoistossa, samalla lähtöteholla ylläpitämään alhaisempaa lämpötilaa, piikarbidilaite on siksi myös vähemmän vaativa lämmönpoiston suunnittelussa, mikä auttaa saavuttamaan laitteen pienentämisen.

(3) Korkean-taajuuden saavuttaminen Piikarbidin kyllästymiselektronien ryömintänopeus on suuri, kaksi kertaa piin verrattuna, mikä määrittää, että piikarbidilaite voi saavuttaa korkeamman toimintataajuuden ja suuremman tehotiheyden. Samaan aikaan piikarbidisubstraattimateriaalin energiahäviö on pienempi. Samalla jännitteellä ja muunnostaajuudella, 400 V:lla, piikarbidin MOSFET-invertterin energiahäviö on noin 29 %-60 % pii-pohjaisen IGBT:n energiahäviöstä; 800 V jännitteellä piikarbidin MOSFET-invertterin energiahäviö on noin 30–50 % piipohjaisen IGBT:n energiahäviöstä. Siten piikarbidilaitteiden energiahäviö on paljon pienempi.

180 Grit Silicon Carbide Powder Asiakkaiden vierailukuvia

FAQ

K: Oletko valmistaja?

V: Kyllä, olemme valmistaja, joka sijaitsee Anyang Cityssä, Henanin maakunnassa. Ammattimaisena metallurgisten raaka-aineiden toimittajana asetamme aina tuotteiden laadun etusijalle. Käytämme edistyneimpiä laitteita ja teknologiaa raaka-aineiden valvonnasta, valmistusprosessista ja laadunvalvontajärjestelmästä varmistaaksemme, että tuotteemme vastaavat alan standardeja ja täyttävät asiakkaiden tarpeet.

K: Millaiset maksuehdot hyväksyt?

V: Pienen tilauksen yhteydessä voit maksaa T/T:llä, Western Unionilla tai Paypalilla, normaali tilaus T/T:llä tai LC:llä yrityksemme tilille

K: Kuinka saan näytteen piikarbidista?

V: Ilmaisia ​​näytteitä on saatavilla, mutta rahtikulut ovat tililläsi ja maksut palautetaan sinulle tai vähennetään tilauksestasi tulevaisuudessa.

K: Kuinka vahvistaa tuotteen laatu ennen tilauksen tekemistä?

V: Voit saada ilmaisia ​​näytteitä joistakin tuotteista, sinun on maksettava vain toimituskulut tai järjestettävä meille kuriiri ja otettava näytteet. Voit lähettää meille tuotetietosi ja pyyntösi, valmistamme tuotteet pyyntöjesi mukaan.

Suositut Tagit: piikarbidimateriaalit, Kiina piikarbidimateriaalien valmistajat, toimittajat, tehdas